نقش مهم برهمکنش قوی الکترون – فونون را در ابررسانای دمای بالا با ارزیابی نتایج برخی آزمایشهای مهم، مانند پراکندگی ناکشسان نوترون و پرتوی X، طیف سنجی نوری با تفکیک زاویه ای، و اثر ایزوتوپ بررسی می نماییم. همچنین، نتایج محاسباتی خود از ویژه مقادیر و ویژه بردارهای مدهای Ag رامان و وابستگی ساختار نوارهای الکترونی به تغییر مکان یونها را بر اساس نظریه تابعی چگالی عرضه می کنیم. به روشنی مشهود است که نقش فونون در سازوکار حالت ابررسانایی دمای بالا باید به طور جدی مد نظر قرار گیرد.

دینامیک یک عایق پاد فرومغناطیس متصل به یک عایق غیرمغناطیسی مورد بررسی قرار گرفته است. پمپاژ فونون ها به وسیلۀ دینامیک مغناطش از یک پاد فرومغناطیس به یک عایق غیرمغناطیسی مجاور که با انتقال تکانۀ زاویه ای همراه است منجر به افزایش میرایی می شود. علاوه بر این، نتایج نشان می دهد که جفت شدگی قوی بین دینامیک مغناطش و امواج کشسانی، جایی که قدرت جفت شدگی خیلی بزرگ تر از اتلاف هر دو زیرسامانه می شود، به صورت دافعۀ ترازی در طیف جذبی پاد فرومغناطیس قابل مشاهده است

در این مقاله، ضریب عبور فونونی یک زنجیرۀ اتمی بی­نهایت که در قسمت کوچکی از آن برهمکنش الکترون-فونون وجود دارد، مورد بررسی قرار می­گیرد. از دیدگاه الکترونی، سامانه در رهیافت تنگابست و در تقریب نزدیک­ترین همسایه ­و برای فونون­ها در قسمت برهمکنشی تا همسایۀ دوم در تقریب هماهنگ مد نظر است. در مدل پیشنهادی، فرض می­شود که تغییرات ابر الکترونی مربوط به اربیتال­های اتمی جایگزیده، باعث تغییر در ثابت نیروی بین اتم­های مجاور قسمت برهمکنشی زنجیره می­شود که به نوبۀ خود باعث تغییر عناصر ماتریس دینامیکی سامانه شده و در نتیجه ضریب عبور فونونی دستخوش تغییر می­شود. بنابراین فرمول­بندی حاضر، ضریب عبور فونونی را به صورت تابعی از پارامترهای الکترونی و فونونی سامانه و همچنین قدرت برهمکنش الکترون-فونون ارائه می­کند. در پایان سعی شده است که با ارائۀ برخی نتایج عددی، به فیزیک مسئله نیز پرداخته شود.

به منظور بدست آوردن روابط پاشندگی مدهای فونون- پولاریتون که به هنگام جفت شدگی فونون های اپتیکی با امواج الکترومغناطیسی در ساختارهای چند لایه ای مواد غیرخطی بوجود می آیند، یک روش تئوری ارائه می گردد. ساختار چند لایه ای شامل یک فیلم نازک است که توسط دو محیط نیمه بینهایت مسدود شده و هر لایه ممکن است دارای یک تابع دی الکتریک وابسته به فرکانس و از"نوع کر" باشد. حداقل یکی از محیط ها یک بلور یونی است که شامل مدهای فونونی اپتیکی است. برای چند حالت مختلف این ساختار هندسی، جواب های تحلیلی و عددی حاصل از روابط پاشندگی در نظر گرفته شده است. نتایج محاسبات نشان می دهند که حضور محیط ها با تابع دی الکتریک غیرخطی شاخه های چند تایی ایجاد می کنند. برای نمایش این شاخه ها، نمودارهای تغییرات فرکانس موثر برحسب ضریب غیر خطی محیط برای مدهای مختلف فونون- پولاریتون ارائه شده است. پارامترهای تغییر دهنده ی موثر مدهای مختلف فونون- پولاریتون در این ساختار عبارت اند از ضخامت لایه نازک، فرکانس های فونونی، ضریب غیرخطی محیطها.

ما در این  مقاله با استفاده از روش نوسانگر واداشته (FOM) و تکنیک ماتریس انتقال، ماهیت حالتهای فونون و چگونگی انتشار موج در زنجیرهای شبه تناوبی مرکب از شبکه های فیبوناچی نوع جایگاهی، پیوندی و مخلوط را در حضور یک نیروی تناوبی خارجی به صورت عددی بررسی می کنیم. با محاسبه نمای لیاپانوف (exponent Lyapunov) و نسبت مشارکت، خواص جایگزیدگی ویژه حالتهای فونون در این زنجیرها را نیز  مطالعه می کنیم. توجه ما متمرکز بر پیدا کردن رابطه مهم بین طیفهای گسیل و ماهیت حالتهای فونون می باشد. نتایج ما نشان می دهند که در حضور شبکه های فیبوناچی و در محدوده فرکانسهای پایین و متوسط طیفهای گسیل این سیستمهای شبه تناوبی خیلی متفاوت از طیفهای مشابه در یک سیستم تناوبی نبوده و ویژه حالتهای فونون متناظر با آنها نیز گسترده اند. علاوه بر این، نتایج عددی ما برای ضریب گسیل T(ω) ، عکس نمای لیاپانوف Г(ω)-1 (معادل طول جایگزیدگی) و نسبت مشارکت PR(ω) نشان می دهند که در ناحیه فرکانسهای بالا، بر خلاف موارد مشابه در سیستمهای بی نظم، ویژه حالتهای فونون غیر جایگزیده هستند.

فرضیه افزایش رسانندگی گرمایی آمیزه های لاستیکی از نظر توزیع یکنواخت خواص در نقاط مختلف قطعه لاستیکی و نیز کاهش زمان پخت حائز اهمیت است که بر کیفیت و قیمت نهایی محصول اثر می گذارد. پودر آلومینای به دست آمده از فناوری پیرولیز افشانه ای دارای شکل شناسی مناسبی است، بنابراین می تواند پرکننده موثری در آمیزه های تایر باشد. روش ها شکل شناسی، ترکیب و اندازه بلور پودر جدید با استفاده از SEM، وXRD و پخش سنج بررسی شد. پودر به فرمول بندی آمیزه رویه تایر بر پایه SBR/BR اضافه و خواص پخت، مکانیکی و نیز رفتار رسانندگی گرمایی آمیزه تعیین شد. خواص نفوذپذیری گرمایی، با نرم افزار شبیه ساز Abaqus و به کمک نیم رخ دمایی تجربی به دست آمده برای مرکز قطعه لاستیکی محاسبه شد. یافته ها مشخص شد، رسانندگی گرمایی لاستیک با وجود پرکننده آلومینا تا 3phr بهبود می یابد. افزایش ضریب نفوذپذیری گرمایی به بهبود پدیده انتقال فونون در ماتریس لاستیک با وجود این پرکننده رسانای گرمایی در کنار دوده نسبت داده شد. بهبود شایان توجهی نیز در رشد ترک دی متیا با وجود این پرکننده جدید دیده شد. سایر خواص مکانیکی به جز مقاومت پارگی تغییرات معنی داری نشان نداند. با وجود این، نتایج آزمون رئومتری نشان داد، سرعت پخت آمیزه ها با وجود این پودر کاهش می یابد. این رفتار کاهشی به ماهیت اسیدی سطح و وجود گروه های هیدروکسیدی در آن نسبت داده شد. بنابراین، برای اظهار نظر نهایی درباره قابلیت این پرکننده در کاهش زمان پخت تایر نیاز است تا مطالعه جامعی انجام شود.

چکیده: در این مقاله، می خواهیم پراکندگی غالب و محدود کننده تحرک در یک دستگاه نیمه هادی یک بعدی مانند نانوسیم گالیوم آرسناید را مطالعه کنیم. ابتدا برهمکنش الکترون فونون را در یک دستگاه نیمه هادی یک بعدی توصیف و سپس با استفاده از تابع موج صفحه ای بعضی از پراکندگی ها در این دستگاه برحسب کمیت هایی نظیر چگالی حامل های یک بعدی و دما مورد بررسی قرار می دهیم. این پراکندگی ها شامل پراکندگی فونونی نظیر پراکندگی فونون های اکوستیکی از طریق جفت شدگی پتانسیل تغییر شکل، پراکندگی فونون های اکوستیکی از طریق جفت شدگی پیزوالکتریک و پراکندگی فونون های اپتیکی قطبی بوده که ابتدا محاسبه و سپس رسم کرده ایم. همچنین نشان داده ایم که پراکندگی محدود کننده تحرک حامل ها در گستره ی دماهای پایین و بالا به ترتیب، پراکندگی فونون اکوستیکی پتانسیل تغییر شکل و پراکندگی فونون اپتیکی طولی قطبی می باشد. با افزایش چگالی خطی حامل و شعاع نانوسیم تحرک حامل ها به ازای یک دمای معین افزایش می یابد. پراکندگی غالب در گستره دمایی (K300-4) پتانسیل تغییر شکل بوده و مستقل از چگالی خطی و شعاع نانوسیم است. برای شعاع و چگالی خطی بالای نانوسیم پراکندگی غالب در گستره دمایی (K500-300) پراکندگی فونون اپتیکی قطبی می باشد.

در این مقاله، با استفاده از رهیافت تابع گرین خواص ترابرد الکتریکی یک ساختار متجانس شبه یک بعدی مبتنی بر  (مانند سیم کوانتومی) در حضور برهمکنش الکترون- فونون به طور نظری مطالعه می­شود. برای این منظور، ساختار مورد نظر با طول محدود  را بین دو الکترود نیم­بی­نهایت فلزی در نظر می­گیریم. با استفاده از هامیلتونی این ساختار در چارچوب تقریب بستگی قوی، ضریب عبوردهی الکترون را در رهیافت تابع گرین در غلظت­های مختلف Al و طول­های متفاوت سیم کوانتمی ناحیه میانی به دست می­آوریم. برای مطالعه اثر الکترون- فونون، یک نیروی واداشته تابع مکان و زمان را به هر اتم در یک زنجیره­ی خطی در تقریب هماهنگ در نظر می­گیریم. جابجایی هر اتم در انرژی پرش آن با همسایه­ها موثر است. نتایج محاسباتی این مقاله می­تواند به درک ما از برهمکنش الکترون­- فونون و تاثیر آن در خواص ترابرد الکتریکی کمک کند.

جفت شدگی قوی و بلندبرد دینامیک مغناطش دو لایۀ آنتی فرومغناطیس به واسطۀ فونون های منتقل شده توسط یک عایق غیرمغناطیسی مورد بررسی قرار گرفته است. دینامیک مغناطش در یکی از لایه های آنتی فرومغناطیس از طریق برهمکنش مغناطوکشسانی منجر به برانگیختگی فونون ها و پمپاژ آنها به لایۀ غیرمغناطیسی می شود. انتقال فونون ها، که با خود تکانۀ زاویه ای حمل می کنند، از طریق عایق غیرمغناطیسی از یک لایۀ آنتی فرومغناطیس به لایۀ دیگر، منجر به ایجاد به یک طرح تداخلی در طیف جذب می شود که بیانگر جفت شدگی دینامیک مغناطش دو لایه است.

تک بلورهای ترکیب شیمیایی Ba1-xKxBiO3 برای مقادیر 0.6>x>0 شامل ترکیبات ابررسانا و عایق با روش الکتروشیمیایی رشد داده شد. بلورهای رشد داده شده توسط آزمایش های پرتو ایکس پودری و لاوه به منظور تعیین ساختار بلوری، فازهای تشکیل شده و مقدار پتاسیم در ترکیب مشخصه یابی شدند. نوارهای فونونی این سیستم با روش پراکندگی ناکشسان پرتو ایکس اندازه گیری و بستگی آنها به مقدار پتاسیم و اندازه حرکت بلوری بررسی شد. با افزایش مقدار پتاسیم نوارهای فونونی با انرژی پایین تقریبا ثابتند در حالی که نوارهای با انرژی بالا به انرژی های بالاتر منتقل می شوند. افزایش قابل توجهی در مقدار انرژی فونونهای با انرژی بالا به همراه یک نرم شدگی فونونی در هنگام گذار عایق- ابررسانا با افزایش مقدار پتاسیم مشاهده شده است. این نرم شدگی ناهنجار شاهدی تجربی برای وجود برهم کنش قوی الکترون - فونون و نقش آن در تشکیل حالت ابررسانایی در این سیستم است.